TI品牌TPD1E0B04DPLR静电保护ESD芯片技术与应用介绍 TI品牌TPD1E0B04DPLR是一款高效的静电保护ESD芯片，采用TVSDIODE技术，具有优异的静电防护性能。该芯片采用3.6VWM的工作电压，可广泛应用于各种电子设备中，如手机、平板电脑等。 该芯片采用2X2SON的封装技术，具有体积小、功耗低、散热性能好等优点。在应用中，该芯片能够有效抑制静电放电（ESD）对电路的损害，提高电子设备的稳定性和可靠性。 方案应用介绍： 该芯片可广泛应用于各种需要防止静电损坏的电子设备中
Nexperia PUSB3FR4Z静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 3VC DFN2510A-10的技术与应用介绍 Nexperia PUSB3FR4Z是一款高性能的静电保护ESD芯片TVSDIODE，专为USB接口应用设计，提供3.3VWM和3VC两种电压规格。该芯片采用DFN2510A-10封装，具有紧凑的尺寸和出色的电性能特性。 PUSB3FR4Z的主要技术特点包括快速瞬态抑制、低ESD钳位电压、高钳位电压可调、低反向漏电流以及易于安装等。这些特性使其成为USB接口设
Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMA6J12A静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC是一款高性能的静电保护器件，具有出色的防护性能和可靠性。 SMA6J12A采用TVS技术，能够在瞬间承受高电压冲击的同时将电压控制在安全范围内，从而有效地保护电子设备不受静电冲击的损害。此外，该器件还采用了DO214AC封装，具有小型化、轻量化和良好的热传导性能，提高了器件的工作效率和可靠性。 该器件适用于各种需要静电防护的场合，如计算机、通讯设
Infineon品牌ESD5V0S1U02VH6327XTSA1静电保护ESD芯片TVS二极管的应用介绍 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1是一款Infineon品牌的静电保护芯片，采用TVS技术，具有出色的静电防护性能。它是一款低电容、高吸收电流的静电保护器件，适用于各种电子设备的电源电路中。 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1采用ESD5VWM规格，能够承受高达14.5VC的静电放电冲击。该芯片还具有优异的反向电压和漏电流特性，确保在瞬态电压波动时能够迅速导通，有效吸收
TI品牌ESD401DPYR静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 TI品牌ESD401DPYR是一款高性能的静电保护ESD芯片，采用TVS二极管技术，具有出色的静电防护性能。该芯片采用5.5VWM的工作电压，具有24V的额定钳压值，能承受高达2X1SON的静电放电能量，为电子设备提供高效、可靠的静电保护。 TVS二极管技术是一种具有高阻抗突变特性的半导体器件，具有响应速度快、钳位电压精确可调、瞬态抑制能力强等特点。ESD401DPYR芯片通过内置的TVS二极管，能够有效吸收瞬态电压和浪
STM品牌ESDA7P60-1U1M是一款高性能静电保护ESD芯片TVSDIODE，采用5VWM，11.6VC规格，具有多种技术特点和应用方案。 首先，该芯片采用先进的半导体技术，具有快速响应、低漏电流、高钳压特性，能够有效地抑制静电、雷击等瞬态干扰对电路的损害。同时，该芯片还具有热敏特性，能够在瞬间过载时自动熔断，保护电路不受损坏。 其次，该芯片适用于各种电子设备的静电保护，如计算机、通信设备、医疗设备等。在电路中安装该芯片后，能够有效抑制瞬态干扰，提高设备的可靠性和稳定性。同时，该芯片还具
Diodes品牌推出了一款高效静电保护ESD芯片SMBJ48A-13-F，它是一款高品质的TVS DIODE，适用于各种应用场景。该芯片采用SMBJ封装，具有48VWM和77.4VC的规格，适用于各种高电压环境。 SMBJ48A-13-F静电保护ESD芯片的技术特点包括高瞬态电压抑制能力、低电容、低漏电流、低插入损耗以及易于安装等。其独特的TVS技术能够有效吸收瞬态能量，保护电子设备免受静电、雷击等危害。此外，该芯片还具有优异的脉冲功率和钳位电压精度，使其在各种应用中表现出色。 方案应用方面，
Littelfuse品牌旗下的SMBJ33A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护二极管，采用DO214AA封装，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有快速响应、低漏电流、高钳压和可靠性的特点，可有效抑制瞬态电压和静电放电的冲击，保护电路免受损坏。 技术特点： * 快速响应：SMBJ33A芯片能够在纳秒级内将电流从正常状态切换到保护状态，从而快速抑制瞬态电压。 * 低漏电流：芯片在正常状态下具有极低的静态功耗，不会影响电路的正常工作。 * 高钳压：芯片在承受高电压时仍能保持良好的电气性
Littelfuse品牌SMBJ24A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS DECOATECDIODE，适用于各种电子设备的静电保护应用。该芯片采用24VWM规格，具有高浪涌电流能力，可有效抑制瞬态电压和浪涌电流的冲击，保护电路免受静电和人为干扰的影响。 技术特点： * 采用微型封装DO214AA，具有高功率容量和高浪涌电流能力； * 工作电压范围为24V，可适应各种设备的电压需求； * 采用先进的半导体工艺，具有优异的电气性能和可靠性； * 具有快速响应速度和极低的接触电阻，可有效抑制瞬态电